廈門市人民政府、廈門市海滄區人民政府與新葡京平臺微電子于2024年5月21日在廈門共同簽署了《戰略合作框架協議》。協議各方合作在廈門市海滄區建設一條以SiC-MOSFET為主要產品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線。該項目分兩期建設，項目一期投資規模70億元，二期投資規模50億元，兩期建設完成后，將形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產72萬片的生產能力。本次合作是新葡京平臺微電子積極響應國家戰略，加快發展汽車半導體關鍵芯片的重大舉措。
廈門新葡京平臺集宏半導體有限公司為新葡京平臺微“8英寸SiC功率器件芯片制造生產線”項目的實施主體。2025年上半年，新葡京平臺集宏“8英寸SiC功率器件芯片制造生產線（一期）”項目進展順利。新葡京平臺集宏主廠房及其他建筑物已于2月28日實現全面封頂，并于6月26日實現首臺工藝設備進廠安裝。目前，新葡京平臺集宏正在加快推進設備安裝與調試工作，預計將于今年四季度實現8英寸SiC大線通線并試生產，以把握2026年車用SiC市場快速發展的機遇。
