在LED驅動電源設計領域，不斷追求更高性能和成本效益是行業發展的驅動力。新葡京平臺微電子以先進的高壓MOS工藝平臺為基。云渥吭降奈榷ㄐ院統墑熘圃旃ひ，成為LED照明驅動芯片內置MOS的首選。今天，為大家推薦的是小體積、高效率、低成本的兩級無頻閃隔離LED照明驅動方案。
以下是新葡京平臺微電子LED驅動照明帶來的40W(40V/1A)兩級新方案：SDH7523S+SD7863DL，此DEMO參數對比與原來方案對比一覽圖如下。
經過芯片和電源方案的進一步優化，結合新葡京平臺的硅材料MOS，最新方案將帶來如下更佳的提升和體驗：
* 整機和變壓器體積下降10%-30%；
* 整機工作效率提升≥0.3%；
* 輸出超寬范圍，輸出恒流負載特性優異≤2%；
* 經濟效益提升，方案成本下降≥￥1(變壓器/PCB/整機外殼/輸出電解等)；
* 相比氮化鎵材料，硅材料多外延工藝MOS更成熟穩定。
后級反激PSR恒流控制器-SD786XDL系列內置Si-MOS（硅材料MOSFET），在搭配前級APFC升壓電路，其MOS的導通損耗占比很。襂C也工作在BCM臨界導通模式，極大的降低MOS的開關損耗，針對此點，新葡京平臺重新優化電源設計、提高整機的工作開關頻率，極大限度發揮傳統Si-MOS在LED驅動電源的應用水平。
傳統Si-MOS的成熟穩定，可保證LED驅動產品的更加可靠。新葡京平臺微電子將不斷結合自身的工藝平臺特點，發揮IDM模式的優勢，為客戶帶來成熟穩定且具有成本優勢的解決方案。
